Feature
• High speed
— tAA = 12 ns
• CMOS for optimum speed/power
• Low active power
— 1320 mW (max.)
• Automatic power-down when deselected
• Independent Control of Upper and Lower bits
• Available in 44-pin TSOP II and 400-mil SOJ
CY7C1021BNV33-10ZC
- 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 153
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 153+ | 14.26851 | 2183.08248 |
- 库存: 234
- 单价: ¥14.26851
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,183.08
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 存储类型 Volatile
- 储存接口 并联
- 安装类别 表面安装
- 时钟频率 -
- 存储格式 SRAM
- 技术 SRAM-异步
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 工作温度 0摄氏度~70摄氏度（TA）
- 电源电压 3V~3.6V
- 单字、单页写入耗时 10ns
- 访达时期 10纳秒
- 包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
- 供应商设备包装 44-TSOP II
- 存储容量 1Mb (64K x 16)
CY7C1021BNV33-10ZC 产品详情
CY7C1021BNV33-10ZC 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | CY7B993V-5AXI | 英飞凌 (Infineon) | 电源电压: 2.97伏~3.63伏 输入比率 / 输出比率: 4:18 最大频率: 100MHz 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥244.88245 |
CY7C1021BNV33-10ZC所属分类：存储器，CY7C1021BNV33-10ZC 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。CY7C1021BNV33-10ZC价格参考￥14.268513，你可以下载 CY7C1021BNV33-10ZC中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询CY7C1021BNV33-10ZC规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
