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24AA256-I/P

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-PDIP
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.49323 7.49323
10+ 6.36872 63.68725
60+ 5.74866 344.92008
120+ 4.47702 537.24300
480+ 4.17225 2002.68048
1200+ 4.03562 4842.75360
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规格参数

  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 EEPROM
  • 技术 电可擦编程只读存储器
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 单字、单页写入耗时 5ms
  • 储存接口 IOC
  • 存储容量 256Kb (32K x 8)
  • 安装类别 通孔
  • 时钟频率 400千赫
  • 访达时期 900 ns
  • 包装/外壳 8-DIP (0.300", 7.62毫米)
  • 电源电压 1.7伏~5.5伏
  • 供应商设备包装 8-PDIP

24AA256-I/P 产品详情

The 24AA256-I/P is a 256kB I²C CMOS serial Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) capable of operation across a broad voltage range 1.8 to 5.5V. It has been developed for advanced, low-power applications such as personal communications or data acquisition. This device also has a page write capability of up to 64 bytes of data. This device is capable of both random and sequential reads up to the 256K boundary. Functional address lines allow up to eight devices on the same bus, for up to 2Mb address space.

Feature

  • Low-power CMOS technology
  • 2-wire serial interface (I²C™ compatible)
  • Cascadable up to eight devices
  • Self-timed write cycle
  • 64-byte page write buffer
  • 5ms Maximum write cycle time
  • Hardware write-protect for entire array
  • Output slope control to eliminate ground bounce
  • Schmitt trigger inputs for noise suppression
  • 1000000 Erase/write cycles
  • Electrostatic discharge protection >4000V
  • Data retention >200 years
24AA256-I/P所属分类:存储器,24AA256-I/P 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。24AA256-I/P价格参考¥7.493236,你可以下载 24AA256-I/P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询24AA256-I/P规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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