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RMLV0816BGSB-4S2#HA0

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 149.49345 149.49345
10+ 139.20129 1392.01295
25+ 137.71070 3442.76765
50+ 134.31378 6715.68930
100+ 125.79468 12579.46870
1000+ 125.79468 125794.68700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥149.49346
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥149.49
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM
  • 包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 44-TSOP II
  • 存储容量 8Mb (512K x 16)
  • 单字、单页写入耗时 45ns
  • 访达时期 45纳秒
  • 电源电压 2.4伏~3.6伏

RMLV0816BGSB-4S2#HA0 产品详情

Low Power SRAM, RMLV Series, Renesas Electronics

The RMLV Series of high performance advanced static RAMs has realized higher density, low current consumption, and offers low power standby power dissipation.

Single 2.7V to 3.6V power supply
Access time: 45ns (max.)
Equal access and cycle times
Common data input and output with three state output
All inputs and outputs are TTL compatible
Suitable for battery backup operation

RMLV0816BGSB-4S2#HA0所属分类:存储器,RMLV0816BGSB-4S2#HA0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RMLV0816BGSB-4S2#HA0价格参考¥149.493456,你可以下载 RMLV0816BGSB-4S2#HA0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RMLV0816BGSB-4S2#HA0规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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