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BR24G1MFJ-3AGTE2

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOP-J
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 10.98237 10.98237
10+ 9.49003 94.90031
30+ 8.54418 256.32543
100+ 7.58782 758.78210
500+ 7.14642 3573.21250
1000+ 6.95725 6957.25500
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  • 单价: ¥10.98237
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.98
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 EEPROM
  • 技术 电可擦编程只读存储器
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 单字、单页写入耗时 5ms
  • 访达时期 -
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 储存接口 IOC
  • 时钟频率 1兆赫
  • 存储容量 1Mb (128K x 8)
  • 电源电压 1.7伏~5.5伏
  • 供应商设备包装 8-SOP-J

BR24G1MFJ-3AGTE2 产品详情

The BR24G1MFJ-3AGTE2 is a 1MB 2-wire I²C bus Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) with 1.7 to 5.5V wide Limit of operating voltage, possible fast mode 1MHz operation. It features single power source operation most suitable for battery use. It is also features all controls available by 2 ports of serial clock (SCL) and serial data (SDA) and other devices than EEPROM can be connected to the same port, saving microcontroller port.

Feature

  • Page write mode useful for initial value write at factory shipment
  • Self-timed programming cycle
  • Low current consumption
  • Prevention of write mistake
  • Write (write protect) function added
  • Prevention of write mistake at low voltage
  • More than 1million write cycles
  • More than 40 years data retention
  • Noise filter built-in SCL/SDA terminal
  • Initial delivery state FFh


BR24G1MFJ-3AGTE2所属分类:存储器,BR24G1MFJ-3AGTE2 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BR24G1MFJ-3AGTE2价格参考¥10.982373,你可以下载 BR24G1MFJ-3AGTE2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BR24G1MFJ-3AGTE2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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