起订量: 157
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The CY62128BNLL-70SC is a high-performance CMOS static RAM organized as 131,072 words by 8 bits.
• 4.5V − 5.5V operation
• CMOS for optimum speed/power
• Low active power (70 ns, LL version)
— 330 mW (max.) (60 mA)
• Low standby power (70 ns, LL version)
— 110 µW (max.) (20 µA)
• Automatic power-down when deselected
• TTL-compatible inputs and outputs
• Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE options
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | CY6696 | 森萨塔科技快达 (Sensata-Crydom) | CY6696 | ¥1,096.71992 |
| CY6657-000 | 泰科航天 (TE) | TX40AB00-1006H | ¥1,249.18296 |
| CY62146DV30LL-55ZSXI | 英飞凌 (Infineon) | 256K X 16 SRAM | ¥38.17008 |
| CY62136VNLL-70BAI | 英飞凌 (Infineon) | IC SRAM 2MB 3V 48-FBGA | ¥32.81034 |
| CY6792-000 | 泰科瑞侃 (Raychem Cable) | 长: 1000.0'（304.8m） 色彩/颜色: 黑色 材质: 聚烯烃（PO），辐照 收缩比: 2到1 | ¥218.69212 |
| CY6792-000 | 泰科瑞侃 (Raychem Cable) | 长: 4.00’（1.22米） 色彩/颜色: 黑色 材质: 聚烯烃（PO），辐照 收缩比: 2到1 | ¥996.68098 |
 | CY62187G30-55BAXI | 英飞凌 (Infineon) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8x9.5) | ¥707.12433 |
 | CY62128EV30LL-45ZXIT | 英飞凌 (Infineon) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥81.51128 |
 | CY62148ELL-55SXIT | 英飞凌 (Infineon) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOIC | ¥58.37053 |
 | CY62147DV30L-55ZSXI | 英飞凌 (Infineon) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥18.17968 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
