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23LCV512-I/P

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-PDIP
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 35.44836 35.44836
10+ 31.23407 312.34079
30+ 28.66977 860.09322
  • 库存: 30
  • 单价: ¥35.44837
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥35.45
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规格参数

  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 访达时期 -
  • 存储格式 SRAM
  • 安装类别 通孔
  • 电源电压 2.5伏~5.5伏
  • 时钟频率 20兆赫
  • 包装/外壳 8-DIP (0.300", 7.62毫米)
  • 存储容量 512Kb (64K x 8)
  • 供应商设备包装 8-PDIP
  • 储存接口 SPI - Dual I/O
  • 技术 SRAM-同步

23LCV512-I/P 产品详情

The 23LCV512-I/P is a 512kb SPI Serial SRAM with battery backup and SDI interface. The memory is accessed via a simple serial peripheral interface (SPI) compatible serial bus. The bus signals required are a clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO) lines. Access to the device is controlled through a chip select (CS) input. Additionally, SDI (serial dual interface) is supported if application needs faster data rates. This device also supports unlimited reads and writes to the memory array and supports data backup via external battery/coin cell connected to VBAT (pin 7).

Feature

  • SPI-compatible bus interface - 20MHz clock rate, SPI/SDI mode
  • Low-power CMOS technology
  • 3mA at 3.6V, 20MHz Read current
  • 4µA at +85°C Maximum standby current
  • Unlimited read and write cycles
  • Zero write time
  • 32-byte page
  • Battery-backed SRAM support via Vbat Pin, automatic switchover to Vbat
  • Sequential mode reads and writes
  • High reliability
23LCV512-I/P所属分类:存储器,23LCV512-I/P 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。23LCV512-I/P价格参考¥35.448368,你可以下载 23LCV512-I/P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询23LCV512-I/P规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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