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MB85RS64PNF-G-JNE1

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC
  • 品牌: 富士通 (FUJITSU)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.82404 14.82404
  • 库存: 35325
  • 单价: ¥14.82404
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    - +
  • 总计: ¥14.82
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 储存接口 串行外设接口
  • 访达时期 -
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 存储容量 64Kb (8K x 8)
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 存储格式 FRAM
  • 技术 铁电RAM
  • 制造厂商 富士通 (FUJITSU)
  • 时钟频率 20兆赫

MB85RS64PNF-G-JNE1 产品详情

The MB85RS64PNF-G-JNE1 is a 64K (8K x 8-bit) I²C FRAM Stand-Alone Chip in a configuration of 8192 words x 8-bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the non-volatile memory cells. The chip is able to retain data without using a data backup battery, as is needed for SRAM. The memory cells used in the chip can be used for 1012 read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by flash memory and E2PROM. The chip does not take long time to write data unlike flash memories nor E2PROM and this takes no wait time.

Feature

  • Serial peripheral interface
  • 25MHz Maximum operating frequency
  • 10 Billion read/writes high endurance

Applications

Communications & Networking
MB85RS64PNF-G-JNE1所属分类:存储器,MB85RS64PNF-G-JNE1 由 富士通 (FUJITSU) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MB85RS64PNF-G-JNE1价格参考¥14.824043,你可以下载 MB85RS64PNF-G-JNE1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MB85RS64PNF-G-JNE1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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