IS66WVO8M8DALL-200BLI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)
  • 品牌: 芯成 (ISSI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 33.17248 33.17248
10+ 30.10149 301.01492
25+ 29.44673 736.16835
40+ 29.28666 1171.46664
80+ 26.26007 2100.80608
230+ 26.16418 6017.76140
480+ 25.20818 12099.93072
960+ 23.96530 23006.69568
  • 库存: 35
  • 单价: ¥33.17248
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥33.17
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 电源电压 1.7伏~1.95伏
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 时钟频率 200兆赫
  • 存储容量 64Mb (8M x 8)
  • 存储格式 PSRAM
  • 技术 PSRAM(伪SRAM)
  • 包装/外壳 24-TBGA
  • 供应商设备包装 24-TFBGA (6x8)
  • 储存接口 SPI - Octal I/O
  • 单字、单页写入耗时 40ns

IS66WVO8M8DALL-200BLI 产品详情

IS66WVO8M8DALL-200BLI所属分类:存储器,IS66WVO8M8DALL-200BLI 由 芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS66WVO8M8DALL-200BLI价格参考¥33.172482,你可以下载 IS66WVO8M8DALL-200BLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS66WVO8M8DALL-200BLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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