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W958D8NBYA5I
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W958D8NBYA5I

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)
  • 品牌: 华邦电子 (Winbond)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 35.92478 35.92478
10+ 32.57132 325.71321
25+ 31.86296 796.57415
40+ 31.68949 1267.57992
80+ 28.41483 2273.18704
312+ 28.31090 8833.00173
624+ 27.27639 17020.47297
1248+ 25.93153 32362.55942
  • 库存: 374
  • 单价: ¥35.92478
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥35.92
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TC)
  • 制造厂商 华邦电子 (Winbond)
  • 时钟频率 200兆赫
  • 电源电压 1.7伏~2伏
  • 存储容量 256Mb (32M x 8)
  • 存储格式 PSRAM
  • 技术 PSRAM(伪SRAM)
  • 包装/外壳 24-TBGA
  • 单字、单页写入耗时 35ns
  • 访达时期 35纳秒
  • 供应商设备包装 24-TFBGA (6x8)
  • 储存接口 HyperBus

W958D8NBYA5I 产品详情

Description
The W958D2B is an A/D MUX (Address Data multiplex) 256M byte CellularRAM? compliant products, organized as 8M by 32 bite; high-speed, CMOS pseudo-static random access memories developed for low-power, portable applications.
Features
Supports asynchronous, page, and burst operations
VCC, VCCQ Voltages:1.7V–1.95V VCC, 1.7V–1.95V VCCQ
Random access time: 70ns
Burst mode READ and WRITE access: 4, 8, or?16 words, or continuous burst
Burst wrap or sequential, Max clock rate: 133 MHz (tCLK = 7.5ns)
Burst initial latency: 39ns (4 clocks) @ 104 MHz, tACLK: 6ns at 133 MHz
Page mode READ access:Sixteen-word page size, Interpage READ access: 70ns, Intrapage READ access: 20ns
Low-power features: TCR, PAR, DPD
W958D8NBYA5I所属分类:存储器,W958D8NBYA5I 由 华邦电子 (Winbond) 设计生产,可通过久芯网进行购买。W958D8NBYA5I价格参考¥35.924784,你可以下载 W958D8NBYA5I中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询W958D8NBYA5I规格参数、现货库存、封装信息等信息!

华邦电子 (Winbond)

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Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbo...

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