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71V016SA12YG8

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 500

  • 库存: 0
  • 单价: ¥15.91130
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7,955.65
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规格参数

  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 单字、单页写入耗时 12ns
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 部件状态 上次购买
  • 包装/外壳 44-BSOJ (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 44-SOJ
  • 访达时期 12纳秒
  • 存储容量 1Mb (64K x 16)

71V016SA12YG8 产品详情

The 71V016SA12YG8 3.3V CMOS SRAM is organized as 64K x 16. All bidirectional inputs and outputs of the 71V016SA12YG8 are LVTTL-compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation.

Feature

  • Equal access and cycle times — Commercial: 10/12/15/20ns — Industrial: 12/15/20ns
  • One Chip Select plus one Output Enable pin
  • Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible
  • Low power consumption via chip deselect
  • Upper and Lower Byte Enable Pins
  • Single 3.3V power supply
  • Available in 44-pin Plastic SOJ, 44-pin TSOP, and 48-Ball Plastic FBGA packages


71V016SA12YG8所属分类:存储器,71V016SA12YG8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71V016SA12YG8价格参考¥15.911304,你可以下载 71V016SA12YG8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71V016SA12YG8规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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