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R1LV3216RSD-7SI#B0
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R1LV3216RSD-7SI#B0

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-TSOP II
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 4

  • 库存: 0
  • 单价: ¥520.58344
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,082.33
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 单字、单页写入耗时 70ns
  • 访达时期 70 ns
  • 技术 SRAM
  • 存储容量 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 包装/外壳 52-TFSOP (0.350", 8.89毫米 Width)
  • 供应商设备包装 52-TSOP II

R1LV3216RSD-7SI#B0 产品详情

R1LV3216RSD-7SI#B0所属分类:存储器,R1LV3216RSD-7SI#B0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。R1LV3216RSD-7SI#B0价格参考¥520.583438,你可以下载 R1LV3216RSD-7SI#B0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询R1LV3216RSD-7SI#B0规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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