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71V016SA12YG
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71V016SA12YG

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 256

  • 库存: 0
  • 单价: ¥15.88716
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4,067.11
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规格参数

  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度（TA）
  • 单字、单页写入耗时 12ns
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 部件状态 上次购买
  • 包装/外壳 44-BSOJ (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 44-SOJ
  • 访达时期 12纳秒
  • 存储容量 1Mb (64K x 16)

71V016SA12YG 产品详情

The IDT71V016SA12YG is a 1,048,576-bit high-speed Static RAM organized as 64K x 16. It is fabricated using high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed memory needs. The IDT71V016SA12YG has an output enable pin which operates as fast as 5ns, with address access times as fast as 10ns. All bidirectional inputs and outputs of the IDT71V016SA12YG are LVTTL compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation.

Feature

  • 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM
  • Equal access and cycle times
  • One Chip Select plus one Output Enable pin
  • Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible
  • Low power consumption via chip deselect
  • Upper and Lower Byte Enable Pins
  • Single 3.3V power supply


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器件图
型号
制造商
描述
价格
71VN3680DQ30K71VN3680DQ30K基美 (AC)0 68 U 520VV¥0.6846
71VI33304030K71VI33304030K基美 (AC).033UF 520V¥1.81073
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71V67603ZS133PF71V67603ZS133PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥43.4574
71V3557S85PF71V3557S85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3558XS133PFG71V3558XS133PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3579YS85PFG71V3579YS85PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3577YS85PFG71V3577YS85PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20）¥14.55823
71V3559S85PF71V3559S85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3579YS85PF71V3579YS85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V016SA12YG所属分类：存储器，71V016SA12YG 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。71V016SA12YG价格参考￥15.887156，你可以下载 71V016SA12YG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询71V016SA12YG规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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