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IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II
  • 品牌: 芯成 (ISSI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 单字、单页写入耗时 10ns
  • 访达时期 10纳秒
  • 包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 44-TSOP II
  • 存储容量 2Mb (128K x 16)
  • 电源电压 2.4伏~3.6伏

IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR 产品详情

IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR所属分类:存储器,IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR 由 芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR价格参考¥17.663695,你可以下载 IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和...

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