久芯网

71256SA20YGI8

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 0
  • 单价: ¥10.99288
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.99
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 存储容量 256Kb (32K x 8)
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 单字、单页写入耗时 20纳秒
  • 访达时期 20纳秒
  • 部件状态 上次购买
  • 包装/外壳 28-BSOJ (0.300", 7.62毫米 Width)
  • 供应商设备包装 28-SOJ

71256SA20YGI8 产品详情

The 71256SA20YGI8 5V CMOS SRAM is organized as 32K x 8. The circuit also offers a reduced power standby mode for significant system level power and cooling savings. The low-power (L) version also offers a battery backup data retention capability allowing operation off a 2V battery. Fully static asynchronous circuitry is used; no clocks or refreshes are required for operation. Military grade product is available.

Feature

  • High-speed address/chip select time – Military: 25/35/45/55/70/85/100ns (max.)
  • Commercial/Industrial: 20/25/35ns (max.) low power only
  • Low-power operation
  • Battery Backup operation – 2V data retention
  • Input and output directly TTL-compatible
  • Available in standard 28-pin (300 or 600 mil) ceramic DIP, 28-pin (300 mil) SOJ
  • Military product compliant to MIL-STD-883, Class B


71256SA20YGI8所属分类:存储器,71256SA20YGI8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71256SA20YGI8价格参考¥10.992883,你可以下载 71256SA20YGI8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71256SA20YGI8规格参数、现货库存、封装信息等信息!

瑞萨电子 (Renesas)

瑞萨电子 (Renesas)

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部