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23LC1024-I/SN

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 35.90027 35.90027
10+ 27.30354 273.03546
30+ 22.05933 661.77993
100+ 17.66638 1766.63820
  • 库存: 26571
  • 单价: ¥35.90027
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥35.90
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规格参数

  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 存储格式 SRAM
  • 储存接口 SPI - Quad I/O
  • 电源电压 2.5伏~5.5伏
  • 存储容量 1Mb (128K x 8)
  • 时钟频率 20兆赫
  • 技术 SRAM

23LC1024-I/SN 产品详情

The 23LC1024-I/SN is a 1MB serial SRAM Device. The memory is accessed via a simple serial peripheral interface (SPI) compatible serial bus. The bus signals required are a clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO) lines. Access to the device is controlled through a chip select (CS) input. Additionally, SDI (serial dual interface) and SQI (serial quad interface) is supported if application needs faster data rates. This device also supports unlimited reads and writes to the memory array.

Feature

  • 20MHz Clock Rate SPI-compatible Bus Interface
  • SPI/SDI/SQI Bus Mode
  • Low-power CMOS Technology
  • 3mA at 5.5V, 20MHz Read Current
  • 4µA at +85°C Standby Current
  • Unlimited Read and Write Cycles
  • Zero Write Time
  • 32-byte Page 128K x 8-bit Organization
  • Byte, Page and Sequential Mode for Reads and Writes
  • High Reliability
  • Halogen-free
23LC1024-I/SN所属分类:存储器,23LC1024-I/SN 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。23LC1024-I/SN价格参考¥35.900274,你可以下载 23LC1024-I/SN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询23LC1024-I/SN规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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