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71V256SA20PZG

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 468

数量 单价 合计
1+ 15.25971 15.25971
200+ 5.90631 1181.26200
500+ 5.69612 2848.06050
1000+ 5.60153 5601.53600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥15.25972
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,764.15
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 存储容量 256Kb (32K x 8)
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 单字、单页写入耗时 20纳秒
  • 访达时期 20纳秒
  • 包装/外壳 28-TSSOP(0.465“,11.80毫米宽)
  • 供应商设备包装 28-TSOP

71V256SA20PZG 产品详情

The 71V256SA20PZG 3.3V CMOS Asynchronous SRAM is organized as 32K x 8. When in standby mode, its very low power characteristics contribute to extended battery life. Under full standby mode (CS at CMOS level, f=0), power consumption is guaranteed to be less than 6.6mW. Fully static asynchronous circuitry is used; no clocks or refreshes are required for operation.

Feature

  • Ideal for high-performance processor secondary cache
  • Commercial (0C to +70C) and Industrial (–40C to +85C) temperature range options
  • Fast access times: – Commercial and Industrial: 10/12/15/20ns
  • Low standby current (maximum): – 2mA full standby
  • Inputs and outputs are LVTTL-compatible
  • Single 3.3V(±0.3V) power supply
  • Available in 28-pin SOJ and 28-pin TSOP type I packages


71V256SA20PZG所属分类:存储器,71V256SA20PZG 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71V256SA20PZG价格参考¥15.259718,你可以下载 71V256SA20PZG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71V256SA20PZG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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