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CAT93C86BHU4I-GT3

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8, 1K x 16) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 4兆赫 供应商设备包装: 8-UDFN-EP (2x3)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1072

数量 单价 合计
3000+ 2.53501 7605.04500
  • 库存: 253400
  • 单价: ¥2.02801
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,174.03
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 EEPROM
  • 技术 电可擦编程只读存储器
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 储存接口 串行外设接口
  • 访达时期 -
  • 电源电压 1.8伏~5.5伏
  • 包装/外壳 8-UFDFN Exposed Pad
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 存储容量 16Kb (2K x 8, 1K x 16)
  • 时钟频率 4兆赫
  • 供应商设备包装 8-UDFN-EP (2x3)

CAT93C86BHU4I-GT3 产品详情

The CAT93C86BHU4I-GT3 is a 16-kb Serial EEPROM memory device which is configured as either registers of 16 bits (ORG pin at VCC) or 8 bits (ORG pin at GND). Each register can be written (or read) serially by using the DI (or DO) pin. The CAT93C86BHU4I-GT3 features a self-timed internal write with auto-clear. On-chip Power-On Reset circuit protects the internal logic against powering up in the wrong state.

Feature

  • High Speed Operation: 3 MHz (5 V)
  • 1.8 V to 5.5 V Supply Voltage Range
  • Selectable x8 or x16 Memory Organization
  • Self-timed Write Cycle with Auto-clear
  • Sequential Read
  • Hardware and Software Write Protection
  • Power-up Inadvertent Write Protection
  • Low Power CMOS Technology
  • Program Enable (PE) Pin
  • 1,000,000 Program/Erase Cycles
  • 100 Year Data Retention
  • Industrial Temperature Ranges
  • 8-pin SOIC Packages
  • This Device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant
CAT93C86BHU4I-GT3所属分类:存储器,CAT93C86BHU4I-GT3 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CAT93C86BHU4I-GT3价格参考¥2.028012,你可以下载 CAT93C86BHU4I-GT3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CAT93C86BHU4I-GT3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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