久芯网
BOM 购物车
71V3577S85PFG8
收藏 71V3577S85PFG8数据手册PDF

71V3577S85PFG8

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1000

数量 单价 合计
1000+ 39.79466 39794.66500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥39.79467
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥39,794.67
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度（TA）
  • 技术 SRAM-同步，SDR
  • 包装/外壳 100-LQFP
  • 电源电压 3.135V~3.465V
  • 访达时期 8.5 ns
  • 供应商设备包装 100-TQFP（14x14）
  • 存储容量 4.5Mb (128K x 36)
  • 时钟频率 87 MHz

71V3577S85PFG8 产品详情

The 71V3577S85PFG8 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. The 71V3577S85PFG8 SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.

Feature

  • Fast access times - 7.5ns up to 117MHz clock frequency
  • LBO input selects interleaved or linear burst mode
  • Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
  • 3.3V core power supply
  • Power down controlled by ZZ input
  • 3.3V I/O
  • Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 compliant)
  • Available in 100-pin TQFP, 119-pin BGA and 165 fpBGA packages


71V3577S85PFG8 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
71VN3680DQ30K71VN3680DQ30K基美 (AC)0 68 U 520VV¥0.6846
71VI33304030K71VI33304030K基美 (AC).033UF 520V¥1.81073
71V65703S75PFI71V65703S75PFIIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥43.4574
71V67603ZS133PF71V67603ZS133PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥43.4574
71V3557S85PF71V3557S85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3558XS133PFG71V3558XS133PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3579YS85PFG71V3579YS85PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3577YS85PFG71V3577YS85PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20）¥14.55823
71V3559S85PF71V3559S85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3579YS85PF71V3579YS85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3577S85PFG8所属分类：存储器，71V3577S85PFG8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。71V3577S85PFG8价格参考￥39.794665，你可以下载 71V3577S85PFG8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询71V3577S85PFG8规格参数、现货库存、封装信息等信息！

瑞萨电子 (Renesas)

瑞萨电子 (Renesas)

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...

展开

该制造商其他商品

会员中心 微信客服
客服
回到顶部