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IS43R83200D-6TL-TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II
  • 品牌: 芯成 (ISSI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1500

数量 单价 合计
1500+ 34.06531 51097.97100
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规格参数

  • 制造厂商 芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 技术 SDRAM-DDR
  • 访达时期 700 ps
  • 电源电压 2.3伏~2.7伏
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 包装/外壳 66-TSSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 66-TSOP II
  • 时钟频率 166兆赫
  • 存储容量 256Mb (32M x 8)

IS43R83200D-6TL-TR 产品详情

IS43R83200D-6TL-TR所属分类:存储器,IS43R83200D-6TL-TR 由 芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS43R83200D-6TL-TR价格参考¥34.065314,你可以下载 IS43R83200D-6TL-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS43R83200D-6TL-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

芯成 (ISSI)

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Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和...

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