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71V25761S166PFGI
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71V25761S166PFGI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20）
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 144

数量 单价 合计
144+ 57.23701 8242.13044
  • 库存: 0
  • 单价: ¥57.23702
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8,242.13
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度（TA）
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 166兆赫
  • 技术 SRAM-同步，SDR
  • 包装/外壳 100-LQFP
  • 供应商设备包装 100-TQFP（14x20）
  • 电源电压 3.135V~3.465V
  • 存储容量 4.5Mb (128K x 36)
  • 访达时期 3.5纳秒

71V25761S166PFGI 产品详情

The 71V25761S166PFGI 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 128K x 36 and contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V25761S166PFGI can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.

Feature

  • High system speed 200MHz (3.1ns clock access time)
  • LBO input selects interleaved or linear burst mode
  • Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
  • 3.3V core power supply
  • Power down controlled by ZZ input
  • 2.5V I/O
  • Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 Compliant)
  • Available in 100-pin TQFP and 119-pin BGA packages


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器件图
型号
制造商
描述
价格
71VN3680DQ30K71VN3680DQ30K基美 (AC)0 68 U 520VV¥0.6846
71VI33304030K71VI33304030K基美 (AC).033UF 520V¥1.81073
71V65703S75PFI71V65703S75PFIIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥43.4574
71V67603ZS133PF71V67603ZS133PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥43.4574
71V3557S85PF71V3557S85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3558XS133PFG71V3558XS133PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3579YS85PFG71V3579YS85PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3577YS85PFG71V3577YS85PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20）¥14.55823
71V3559S85PF71V3559S85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3579YS85PF71V3579YS85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V25761S166PFGI所属分类：存储器，71V25761S166PFGI 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。71V25761S166PFGI价格参考￥57.237017，你可以下载 71V25761S166PFGI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询71V25761S166PFGI规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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