R1RW0408DGE-2PR#B1
- 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 110
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 110+ | 116.11817 | 12772.99903 |
- 库存: 0
- 单价: ¥116.11817
-
数量:
- +
- 总计: ¥12,773.00
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 存储类型 Volatile
- 储存接口 并联
- 安装类别 表面安装
- 时钟频率 -
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 存储格式 SRAM
- 工作温度 0摄氏度~70摄氏度（TA）
- 存储容量 4Mb (512K x 8)
- 单字、单页写入耗时 12ns
- 电源电压 3V~3.6V
- 包装/外壳 36-BSOJ (0.400", 10.16毫米 Width)
- 供应商设备包装 36-SOJ
- 技术 SRAM
- 访达时期 12纳秒
R1RW0408DGE-2PR#B1 产品详情
Fast SRAM, Renesas Electronics
R1RW0408DGE-2PR#B1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | R1RP0404DGE-2LR#B0 | 瑞萨电子 (Renesas) | 4M HIGH SPEED SRAM (1M X 4-BIT) | ¥175.13332 |
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R1RW0408DGE-2PR#B1所属分类：存储器，R1RW0408DGE-2PR#B1 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。R1RW0408DGE-2PR#B1价格参考￥116.118173，你可以下载 R1RW0408DGE-2PR#B1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询R1RW0408DGE-2PR#B1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
