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71V416L12BEGI8

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2000

数量 单价 合计
1+ 54.94339 54.94339
200+ 21.27112 4254.22460
500+ 20.52495 10262.47600
1000+ 20.14661 20146.61200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥54.94339
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥40,293.22
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 单字、单页写入耗时 12ns
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 存储容量 4Mb (256K x 16)
  • 包装/外壳 48-TFBGA
  • 访达时期 12纳秒
  • 供应商设备包装 48-CABGA (9x9)

71V416L12BEGI8 产品详情

The 71V416L12BEGI8 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 16. All bidirectional inputs and outputs of the 71V416L12BEGI8 are LVTTL-compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation.

Feature

  • JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise.
  • Equal access and cycle times
  • – Commercial and Industrial: 10/12/15ns
  • One Chip Select plus one Output Enable pin
  • Bidirectional data inputs and outputs directly
  • LVTTL-compatible
  • Low power consumption via chip deselect
  • Upper and Lower Byte Enable Pins
  • Single 3.3V power supply
  • Available in 44-pin, 400 mil plastic SOJ, 44-pin, 400 mil TSOP Type II, and 48-pin BGA packages


71V416L12BEGI8所属分类:存储器,71V416L12BEGI8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71V416L12BEGI8价格参考¥54.943394,你可以下载 71V416L12BEGI8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71V416L12BEGI8规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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