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71V35761SA166BG8

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1000

数量 单价 合计
1+ 65.40029 65.40029
200+ 25.31726 5063.45200
500+ 24.42395 12211.97850
1000+ 23.98256 23982.56000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥65.40029
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥23,982.56
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 时钟频率 166兆赫
  • 技术 SRAM-同步,SDR
  • 电源电压 3.135V~3.465V
  • 存储容量 4.5Mb (128K x 36)
  • 访达时期 3.5纳秒
  • 包装/外壳 119亿加仑
  • 供应商设备包装 119-PBGA(14x22)

71V35761SA166BG8 产品详情

The 71V35761SA166BG8 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. The 71V35761SA166BG8 SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.

Feature

  • High system speed 150MHz (3.8ns clock access time)
  • LBO input selects interleaved or linear burst mode
  • Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
  • 3.3V core power supply
  • Power down controlled by ZZ input
  • 3.3V I/O
  • Available in 100-pin TQFP package


71V35761SA166BG8所属分类:存储器,71V35761SA166BG8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71V35761SA166BG8价格参考¥65.400294,你可以下载 71V35761SA166BG8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71V35761SA166BG8规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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