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71V67603S133BQG

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 272

数量 单价 合计
272+ 164.50067 44744.18278
  • 库存: 0
  • 单价: ¥164.50067
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥44,744.18
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 时钟频率 133兆赫
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 技术 SRAM-同步,SDR
  • 电源电压 3.135V~3.465V
  • 包装/外壳 165-TBGA
  • 访达时期 4.2纳秒
  • 存储容量 9Mb(256K x 36)
  • 供应商设备包装 165-CABGA (13x15)

71V67603S133BQG 产品详情

The 71V67603S133BQG 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 36. The 71V67603S133BQG SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.The order of these three addresses are defined by the internal burst counter and the LBO input pin.

Feature

  • High system speed 166MHz (3.5ns clock access time)
  • LBO input selects interleaved or linear burst mode
  • Self-timed write cycle with global write control (GW), byte
  • write enable (BWE), and byte writes (BWx)
  • 3.3V core power supply
  • Power down controlled by ZZ input
  • 3.3V I/O supply (VDDQ)
  • Available in 100-pin TQFP, 119-pin BGA and 165 fpBGA packages


71V67603S133BQG所属分类:存储器,71V67603S133BQG 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71V67603S133BQG价格参考¥164.500672,你可以下载 71V67603S133BQG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71V67603S133BQG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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