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IS61NVP51236B-200B3LI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)
  • 品牌: 芯成 (ISSI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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144+ 118.47472 17060.36011
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 200兆赫
  • 技术 SRAM-同步,SDR
  • 存储容量 18Mb (512K x 36)
  • 访达时期 3纳秒
  • 包装/外壳 165-TBGA
  • 供应商设备包装 165-TFBGA (13x15)
  • 电源电压 2.375伏~2.625伏

IS61NVP51236B-200B3LI 产品详情

IS61NVP51236B-200B3LI所属分类:存储器,IS61NVP51236B-200B3LI 由 芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS61NVP51236B-200B3LI价格参考¥118.474723,你可以下载 IS61NVP51236B-200B3LI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS61NVP51236B-200B3LI规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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