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71V30L35TFGI8
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71V30L35TFGI8

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (10x10)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 500

数量 单价 合计
500+ 143.21241 71606.20650
  • 库存: 0
  • 单价: ¥143.21241
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥71,606.21
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度（TA）
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 存储容量 8Kb (1K x 8)
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 单字、单页写入耗时 35ns
  • 访达时期 35纳秒
  • 技术 SRAM-双端口，异步
  • 包装/外壳 64-LQFP
  • 供应商设备包装 64-TQFP (10x10)

71V30L35TFGI8 产品详情

The 71V30L35TFGI8 high-speed 1K x 8 Dual-Port Static RAM is designed to be used as a stand-alone 8-bit Dual-Port SRAM. It has two independent ports with separate control, address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for reads or writes to any location in memory. An automatic power down feature, controlled by CE, permits the on chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.

Feature

  • True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous access of the same memory location
  • On-chip port arbitration logic
  • Interrupt flags for port-to-port communication
  • Fully asynchronous operation from either port
  • Battery backup operation, 2V data retention (L Only)
  • TTL-compatible, single 3.3V ±0.3V power supply
  • Available in 64-pin STQFP Package
  • Industrial temperature range (–40C to +85C) is available


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器件图
型号
制造商
描述
价格
71VN3680DQ30K71VN3680DQ30K基美 (AC)0 68 U 520VV¥0.6846
71VI33304030K71VI33304030K基美 (AC).033UF 520V¥1.81073
71V65703S75PFI71V65703S75PFIIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥43.4574
71V67603ZS133PF71V67603ZS133PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥43.4574
71V3557S85PF71V3557S85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3558XS133PFG71V3558XS133PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3579YS85PFG71V3579YS85PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3577YS85PFG71V3577YS85PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20）¥14.55823
71V3559S85PF71V3559S85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3579YS85PF71V3579YS85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V30L35TFGI8所属分类：存储器，71V30L35TFGI8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。71V30L35TFGI8价格参考￥143.212413，你可以下载 71V30L35TFGI8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询71V30L35TFGI8规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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