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71V2546S150BG

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 168

数量 单价 合计
1+ 47.98613 47.98613
200+ 18.57019 3714.03880
500+ 17.91860 8959.30450
1000+ 17.60332 17603.32500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥47.98614
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8,061.67
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 电源电压 3.135V~3.465V
  • 存储容量 4.5Mb (128K x 36)
  • 技术 SRAM-同步,SDR(ZBT)
  • 包装/外壳 119亿加仑
  • 供应商设备包装 119-PBGA(14x22)
  • 时钟频率 150兆赫
  • 访达时期 3.8纳秒

71V2546S150BG 产品详情

The 71V2546S150BG 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 128K x 36. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V2546S150BG has an on-chip burst counter. In the burst mode, it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.

Feature

  • High performance system speed - 150 MHz (3.8 ns Clock-to-Data Access)
  • ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles
  • Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE
  • Single R/W (READ/WRITE) control pin
  • Positive clock-edge triggered address, data, and control signal registers for fully pipelined applications
  • 4-word burst capability (interleaved or linear)
  • Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)
  • Three chip enables for simple depth expansion
  • 3.3V power supply (±5%), 2.5V I/O Supply (VDDQ)
  • Available in 100-pin TQFP and 119-pin BGA packages


71V2546S150BG所属分类:存储器,71V2546S150BG 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71V2546S150BG价格参考¥47.986139,你可以下载 71V2546S150BG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71V2546S150BG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

瑞萨电子 (Renesas)

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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