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71V3556SA166BGGI8

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1000

数量 单价 合计
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 166兆赫
  • 电源电压 3.135V~3.465V
  • 存储容量 4.5Mb (128K x 36)
  • 访达时期 3.5纳秒
  • 技术 SRAM-同步,SDR(ZBT)
  • 包装/外壳 119亿加仑
  • 供应商设备包装 119-PBGA(14x22)

71V3556SA166BGGI8 产品详情

The 71V3556SA166BGGI8 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 128K x 36. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V3556SA166BGGI8 contains data I/O, address and control signal registers.

Feature

  • High performance system speed 200 MHz (x18) (3.2 ns Clock-to-Data Access)
  • ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles
  • Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE
  • Single R/W (READ/WRITE) control pin
  • Positive clock-edge triggered address, data, and control signal registers for fully pipelined applications
  • 4-word burst capability (interleaved or linear)
  • Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)
  • Three chip enables for simple depth expansion
  • 3.3V power supply (±5%), 3.3V I/O Supply (VDDQ)
  • Optional- Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 compliant)
  • Available in 100-pin TQFP, 119-pin BGA and 165 fpBGA packages


71V3556SA166BGGI8所属分类:存储器,71V3556SA166BGGI8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71V3556SA166BGGI8价格参考¥74.267248,你可以下载 71V3556SA166BGGI8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71V3556SA166BGGI8规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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