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7164S70DB

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 169

数量 单价 合计
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 时钟频率 -
  • 存储容量 64Kb (8K x 8)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 安装类别 通孔
  • 单字、单页写入耗时 70ns
  • 访达时期 70 ns
  • 工作温度 -55摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 供应商设备包装 28-CDIP
  • 包装/外壳 28-CDIP(0.600“,15.24毫米)

7164S70DB 产品详情

The 7164S70DB 5V CMOS SRAM is organized as 8K x 8. The 7164S70DB offers a reduced power standby mode. The low-power (L) version also offers a battery backup data retention capability at power supply levels as low as 2V. All inputs and outputs of the IDT7164S70DB are TTL-compatible and operation is from a single 5V supply, simplifying system designs. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refreshing for operation. Military grade product is available.

Feature

  • High-speed address/chip select access time – Military: 20/25/35/45/55/70/85/100ns (max.) – Industrial: 20/25ns (max.) – Commercial: 20/25ns (max.)
  • Low power consumption
  • Battery backup operation – 2V data retention voltage (L Version only)
  • Produced with advanced CMOS high-performance technology
  • Inputs and outputs directly TTL-compatible
  • Three-state outputs
  • Available in 28-pin DIP, CERDIP and SOJ packages
  • Military product compliant to MIL-STD-883, Class B


7164S70DB所属分类:存储器,7164S70DB 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。7164S70DB价格参考¥192.562564,你可以下载 7164S70DB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询7164S70DB规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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