M10082040108X0PWAR
- 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (2M x 4) 电源电压: 1.71V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 4000
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 160.35315 | 160.35315 |
200+ | 62.05829 | 12411.65800 |
500+ | 59.88283 | 29941.41700 |
1000+ | 58.80036 | 58800.36100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥160.35316
-
数量:
- +
- 总计: ¥235,201.44
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 单字、单页写入耗时 -
- 存储类型 Non-Volatile
- 安装类别 表面安装
- 访达时期 -
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 包装/外壳 8-WDFN Exposed Pad
- 储存接口 -
- 时钟频率 108兆赫
- 存储格式 RAM
- 技术 磁阻式RAM
- 供应商设备包装 8-DFN (5x6)
- 工作温度 -40摄氏度~105摄氏度
- 存储容量 8Mb (2M x 4)
- 电源电压 1.71V~2V
M10082040108X0PWAR 产品详情
Maestro Wireless' M100 3G is the perfect solution for M2M applications facing tough environmental conditions and extended lifetime requirements. This compact and intelligent modem running Open AT� Application Framework supports specific protocols and accessories specifically developed by Maestro to ease integration with industrial equipment such as electricity meters, programmable logic controllers, lifts and vending machines. The M100 3G is fully type approved in 3G and ready for global deployment.
M10082040108X0PWAR所属分类:存储器,M10082040108X0PWAR 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。M10082040108X0PWAR价格参考¥160.353156,你可以下载 M10082040108X0PWAR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询M10082040108X0PWAR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...