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CAT93C66VI-GT3

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8, 256 x 16) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 2兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.30661 1.30661
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  • 单价: ¥1.30662
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.31
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 EEPROM
  • 技术 电可擦编程只读存储器
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 储存接口 串行外设接口
  • 访达时期 -
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 时钟频率 2兆赫
  • 电源电压 1.8伏~5.5伏
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 存储容量 4Kb (512 x 8, 256 x 16)

CAT93C66VI-GT3 产品详情

The CAT93C66VI-GT3 is a 2kB MICROWIRE serial CMOS Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) with CSI*4G/93C66VI-marking. It is organized as either 256 registers of 16-bit (ORG pin at VCC) or 512 registers of 8-bit (ORG pin at GND). The CAT93W66 features x16 memory organization only. Each register can be written (or read) serially by using the DI (or DO) pin. The device features sequential read and self-timed internal write with auto-clear. On-chip power-on reset circuitry protects the internal logic against powering up in the wrong state.

Feature

  • High speed operation - 2MHz
  • 1.8 to 5.5V Supply voltage range
  • Sequential read
  • Software write protection
  • Power-up inadvertent write protection
  • Low power CMOS technology
  • 1000000 Program/erase cycles
  • 100 years Data retention
  • Industrial and extended temperature range

Applications

  • Automotive Systems
  • Communications Systems
  • Computer Systems
  • Consumer Systems
  • Industrial Systems
CAT93C66VI-GT3所属分类:存储器,CAT93C66VI-GT3 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CAT93C66VI-GT3价格参考¥1.306619,你可以下载 CAT93C66VI-GT3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CAT93C66VI-GT3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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