BENAND™ is SLC (Single Level Cell) NAND Flash Memory with build in ECC (Error Correction Code).
TC58BVG1S3HTAI0
- 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I
- 品牌: 柯夏 (Kioxia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 储存接口 并联
- 存储类型 Non-Volatile
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 柯夏 (Kioxia)
- 存储格式 FLASH
- 技术 FLASH-NAND(SLC)
- 时钟频率 -
- 单字、单页写入耗时 25纳秒
- 访达时期 25纳秒
- 电源电压 2.7伏~3.6伏
- 存储容量 2Gb (256M x 8)
- 包装/外壳 48-TFSOP (0.724", 18.40毫米 Width)
- 供应商设备包装 48-TSOP I
TC58BVG1S3HTAI0 产品详情
BENAND™, SLC NAND Flash Memory with build in ECC, Toshiba
TC58BVG1S3HTAI0所属分类:存储器,TC58BVG1S3HTAI0 由 柯夏 (Kioxia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TC58BVG1S3HTAI0价格参考¥29.116458,你可以下载 TC58BVG1S3HTAI0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TC58BVG1S3HTAI0规格参数、现货库存、封装信息等信息!
柯夏 (Kioxia)
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