MR44V064BMAZAATL
- 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 1.8伏~3.6伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOP
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 单字、单页写入耗时 -
- 存储类型 Non-Volatile
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 存储容量 64Kb (8K x 8)
- 储存接口 IOC
- 供应商设备包装 8-SOP
- 存储格式 FRAM
- 技术 铁电RAM
- 电源电压 1.8伏~3.6伏
- 时钟频率 3.4兆赫
- 访达时期 130纳秒
MR44V064BMAZAATL 产品详情
ROHM Semiconductor 64kbit 8k x 8-bit FeRAM memories are nonvolatile Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) developed in the ferroelectric process and silicon-gate CMOS technology. The MR44V064B FeRAM is accessed using two-wire serial interface (I2C Bus) and MR45V064B FeRAM using serial peripheral interface. These FeRAM devices eliminate battery backup required to hold data as cells are nonvolatile. The FeRAM memories offer no mechanisms of erasing and programming memory cells and blocks, as those used for various EEPROMs.
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...