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IS43R32400E-4B

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12)
  • 品牌: 芯成 (ISSI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥10.96575
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    - +
  • 总计: ¥10.97
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规格参数

  • 制造厂商 芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 技术 SDRAM-DDR
  • 访达时期 700 ps
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 存储容量 128Mb (4M x 32)
  • 时钟频率 250兆赫
  • 部件状态 过时的
  • 电源电压 2.4伏~2.6伏
  • 包装/外壳 144磅
  • 供应商设备包装 144-LFBGA (12x12)
  • 单字、单页写入耗时 16ns

IS43R32400E-4B 产品详情

IS43R32400E-4B所属分类:存储器,IS43R32400E-4B 由 芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS43R32400E-4B价格参考¥10.965751,你可以下载 IS43R32400E-4B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS43R32400E-4B规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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