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ICE3B0365JFKLA1
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ICE3B0365JFKLA1

  • 描述:拓扑结构: Flyback 启动电压: 18伏 电源电压 (Vcc/Vdd): 10.3伏~26伏 开关频率: 67千赫兹 供应商设备包装: PG-DIP-8 安装类别: 通孔
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 0
  • 单价: ¥10.58368
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.58
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规格参数

  • 输出隔离 孤立的
  • 拓扑结构 Flyback
  • 内部开关 Yes
  • 安装类别 通孔
  • 击穿电压 650V
  • 包装/外壳 8-DIP (0.300", 7.62毫米)
  • 功率（瓦特） 22 W
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 故障保护 限流、开环、过载、过温、过电压
  • 占空比重 75%
  • 启动电压 18伏
  • 电源电压 (Vcc/Vdd) 10.3伏~26伏
  • 开关频率 67千赫兹
  • 控制功能特性 软启动
  • 工作温度 -25摄氏度~130摄氏度（TJ）
  • 供应商设备包装 PG-DIP-8
  • 部件状态 过时的

ICE3B0365JFKLA1 产品详情

The ICE3B0365J is an Integrated Power Management IC, integrated with 650V avalanche rugged CoolMOS™, startup cell and fixed frequency current mode flyback PWM controller. Capable for 13.6W SMPS design. The additional features include an active burst mode operation to achieve extremely low standby power consumption, frequency jittering to obtain low EMI, adjustable blanking window to facilitate load jumps and high voltage startup cells that allows to quickly power up controller from the rectified line.

Feature

  • Peak Current Control (Current Mode)
  • 67kHz Fixed Switching Frequency with Frequency Jitter (Low EMI)
  • Adjustable Blanking Window
  • Active Burst Mode (Low Standby Power <100mW)
  • Enhanced Integrated Protection Functions (Auto-restart)
  • Accurate Peak Power Limitation
  • Modulated Gate Drive
  • Extremely Low Standby Power
  • Very Accurate Maximum Power Control
  • Low EMI Noise

Applications

Power Management, Consumer Electronics, Metering

ICE3B0365JFKLA1 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
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ICE2PCS02GFUMA1ICE2PCS02GFUMA1英飞凌 (Infineon)电源电压: 11伏~25伏 开关频率: 65千赫兹 模式: 连续传导（CCM） 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装¥39.97116
ICE3B0365JFKLA1所属分类：交直流转换器/离线转换开关，ICE3B0365JFKLA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ICE3B0365JFKLA1价格参考￥10.583680，你可以下载 ICE3B0365JFKLA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ICE3B0365JFKLA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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