P-CHANNEL SILICON MOSFET
DigiKey
- Silicon MOSFET P Channel Enhancement 12V 6A 3-Pin Surface Mount - Bulk (Alt: 2SJ630-TD-E) RoHS : Not Compliant
Avnet Americas
- 2SJ630 - P-Channel Silicon MOSFET RoHS : Not Compliant
Rochester Electronics
2SJ630-TD-E
- 描述:P-CHANNEL SILICON MOSFET
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 289
- 库存: 0
- 单价: ¥2.96959
-
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- 总计: ¥858.21
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2SJ630-TD-E 产品详情
2SJ630-TD-E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| 2SJ598-ZK-E1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 1W（Ta），23W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 150摄氏度 | ¥7.17047 |
| 2SJ358C-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ358C-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FE | ¥5.60811 |
| 2SJ358-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET | ¥5.60811 |
| 2SJ529L06-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF | ¥6.8147 |
| 2SJ635-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SJ635 - P-CHANNEL SILICON MOSFE | ¥2.63642 |
| 2SJ607-ZJ-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ607-ZJ-AZ - SWITCHING P-CHANN | ¥31.41108 |
| 2SJ604-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ604-Z-AZ - SWITCHING P-CHANNE | ¥13.10661 |
| 2SJ604-ZJ-E1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ604-ZJ-E1-AZ - SWITCHING P-CH | ¥15.66777 |
 | 2SJ681(Q) | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 20W（Ta） 供应商设备包装: PW-MOLD2 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥11.8349 |
| 2SJ532-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ532 - P-CHANNEL POWER MOSFET, | ¥14.38744 |
2SJ630-TD-E所属分类：专用芯片，2SJ630-TD-E 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SJ630-TD-E价格参考￥2.969589，你可以下载 2SJ630-TD-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SJ630-TD-E规格参数、现货库存、封装信息等信息！