DGT ISO 2.5KV RS422/RS485 16SOIC RoHS : Compliant
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IL3185-3E
- 描述:种类: RS422、RS485 技术: 巨磁阻 通道数量: two 隔离电压: 2500Vrms 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度
- 品牌: NVE公司 (NVE)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 48.81714 | 48.81714 |
| 10+ | 44.07304 | 440.73047 |
| 25+ | 42.02330 | 1050.58265 |
| 100+ | 36.48828 | 3648.82820 |
| 250+ | 34.84819 | 8712.04975 |
| 500+ | 31.77315 | 15886.57700 |
| 1000+ | 29.00781 | 29007.81500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥48.81715
-
数量:
- +
- 总计: ¥48.82
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 隔离电源 无
- 通道类型 单向的
- 最小共模瞬态抗扰度 15千伏/s
- 安装类别 表面安装
- 输入通道数 (左侧/右侧) 1/1
- 隔离电压 2500Vrms
- 最大脉冲宽度失真 -
- 最大传输延迟 tpLH / tpHL -
- 供应商设备包装 16-SOIC
- 包装/外壳 16-SOIC（0.154“，3.90毫米宽）
- 通道数量 two
- 种类 RS422、RS485
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度
- 技术 巨磁阻
- 制造厂商 NVE公司 (NVE)
- 电源电压 3V~5.5V，4.5V~5.5V
- 数据速度率 5Mbps
- 上升/下降时长（典型值） 12ns, 12ns
IL3185-3E 产品详情
IL3185-3E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IL3W-HX5F9-32.768KHz | 伊尔西 (ILSI) | 种类: kHz晶体（音叉） 频率: 32.768千赫 负载电容值: 9皮法 运行模式: 基本的 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥7.7499 |
 | IL33193ADT | 暂无 | ¥4.39295 | |
| IL33193DT | 暂无 | ¥3.81493 | |
| IL3585E | 应用：RS422；RS485 隔离技术：巨磁隔离（GMR） 通道数：3 隔离电压(Viso)：2500Vrms | ¥64.47546 | |
| IL3422E | 隔离技术：巨磁隔离（GMR） 通道数：2 隔离电压(Viso)：2500Vrms | ¥42.44766 | |
 | IL3085-1E | 隔离技术：巨磁隔离（GMR） 通道数：3 隔离电压(Viso)：2500Vrms | ¥45.50591 | |
 | IL3122E | 隔离技术：巨磁隔离（GMR） 通道数：2 隔离电压(Viso)：2500Vrms | ¥41.3757 | |
| IL3522E | 隔离技术：巨磁隔离（GMR） 通道数：3 隔离电压(Viso)：2500Vrms | ¥63.0672 | |
| IL3222-3E | 应用：RS422；RS485 隔离技术：巨磁隔离（GMR） 通道数：2 隔离电压(Viso)：2500Vrms | ¥38.83241 | |
| IL3422-3E | 应用：RS422；RS485 隔离技术：巨磁隔离（GMR） 通道数：2 隔离电压(Viso)：2500Vrms | ¥39.50502 |
IL3185-3E所属分类：数字隔离器，IL3185-3E 由 NVE公司 (NVE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IL3185-3E价格参考￥48.817146，你可以下载 IL3185-3E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IL3185-3E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
NVE公司 (NVE)
NVE是一家电子元件制造商，专门从事磁敏感材料与集成电路的结合。这种新型固态磁技术的特点是对磁场的高灵敏度、体积小、功耗低。NVE已将这些技术应用于磁传感器、隔离器和磁阻随机存取存储器（MRAM）。这些...