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NCD57201DR2G

  • 描述:技术: 电容耦合 通道数量: one 隔离电压: 1000Vrms 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.89236 12.89236
10+ 11.57415 115.74154
25+ 10.91649 272.91247
100+ 9.30133 930.13320
250+ 8.73377 2183.44475
500+ 7.64212 3821.06450
1000+ 7.20958 7209.58300
2500+ 7.20958 18023.95750
  • 库存: 4979
  • 单价: ¥12.89236
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.89
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 通道数量 one
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度
  • 正向电压典型值 -
  • 正向电流属性DC值 -
  • 技术 电容耦合
  • 最小共模瞬态抗扰度 100千伏/s
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 认证机构 VDE
  • 最大传输延迟 tpLH / tpHL 110ns,110ns
  • 隔离电压 1000Vrms
  • 最大脉冲宽度失真 25纳秒
  • 上升/下降时长(典型值) 13ns, 8ns
  • 输出高电流, 输出低电流 1.9A、2.3A
  • 峰值输出电流 1.9A、2.3A
  • 输出电源电压 0伏~20伏

NCD57201DR2G 产品详情

Driver 2.3A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R

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  • IGBT Driver 20V 1.9A/-2.3A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: NCD57201DR2G) RoHS : Compliant

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  • Driver 2.3A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R

Verical

  • Gate Driver, Igbt, -40 To 125Deg C Rohs Compliant: Yes |Onsemi NCD57201DR2G

Newark

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  • GATE DRIVER, IGBT, -40 TO 125DEG C RoHS : Compliant

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  • Stock

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NCD57201DR2G所属分类:隔离器 - 栅极驱动器,NCD57201DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCD57201DR2G价格参考¥12.892362,你可以下载 NCD57201DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCD57201DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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