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HMC425LP3ETR是衰减器DGTL 6BIT 3X3QFN，包括HMC425G系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如阻抗设计为50欧姆，以及GaAs技术，该设备也可用于2.2GHz~8GHz频率范围。此外，信道数为1信道，该设备提供6比特比特数，该设备的衰减值为0.5dB~31.5dB，最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电压为5 V，最大频率为8 GHz，最大衰减为31.5 dB，衰减器步长为0.5dB，最小频率为2.2GHz。
HMC425LP3E是衰减器DGTL 6BIT 3X3QFN，包括GaAs技术，它们设计为与HMC425G系列一起工作，数据表说明中显示了用于的封装盒，提供工作电源电压特性，如5V，通道数设计为在1个通道中工作，以及6位位数，该设备还可以用作SMD/SMT安装样式，它的最小工作温度范围为-40℃，该设备的最小频率为2.2 GHz，最大工作温度范围+85℃，最大频率为8 GHz，最大衰减为31.5 dB，阻抗为50欧姆，频率范围为2.2GHz～8GHz，衰减器步长为0.5 dB，衰减值为0.5dB～31.5dB。
HMC425LP3是衰减器0.5 dB LSB 6位DATT 2.2-8.0 GHz，包括0.5 dB衰减器步长，设计用于50欧姆阻抗。数据表说明中显示了31.5 dB的最大衰减，提供了8 GHz等最大频率特性，最大工作温度范围为+85 C，最小频率为2.2 GHz，它的最低工作温度范围为-40℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供6位位数，器件具有1个通道数，工作电源电压为5V，封装外壳为QSOP-16，包装为卷筒，系列为HMC425G，技术为GaAs，单位重量为0.010159盎司。
