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BLF188XRSU具有引脚细节，包括RF功率MOSFET类型，它们设计用于管封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-539B-5等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及24.4 dB增益，该器件也可用于1400 W输出功率。此外，工作频率为600 MHz，该器件提供11 V Vgs栅极-源极电压，该器件具有40 mA的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为135 V，第Vgs栅极源极阈值电压为1.9 V，Rds漏极源极电阻为80 mOhms。
BLF188XRU是RF MOSFET晶体管功率LDMOS晶体管，包括1.9 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在11 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于135 V，提供RF功率MOSFET等类型特征，该器件还可以用作管封装。此外，封装外壳为SOT-539A-5，器件输出功率为1400 W，器件工作频率为600 MHz，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为40 mA，增益为24.4 dB。
BLF188XRGJ带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
