久芯网

PE4312C-Z

  • 描述:衰损减幅数值: 31.5分贝 频率的范围: 1兆赫~4千兆赫 阻抗值: 50 Ohms 包装/外壳: 20-VFQFN外露焊盘 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 派更半导体 (pSemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 3000

数量 单价 合计
1+ 12.33809 12.33809
10+ 10.87727 108.77279
30+ 10.07856 302.35683
100+ 9.17474 917.47480
500+ 8.76488 4382.44000
1000+ 8.58621 8586.21900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.33809
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥25,758.66
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 功率(瓦特) -
  • 阻抗值 50 Ohms
  • 衰损减幅数值 31.5分贝
  • 制造厂商 派更半导体 (pSemi)
  • 包装/外壳 20-VFQFN外露焊盘
  • 频率的范围 1兆赫~4千兆赫
  • 安装类别 表面安装

PE4312C-Z 产品详情

产品描述说明
PE4312是50Ω, 竖琴™ 技术增强的6位RF数字步进衰减器(DSA),设计用于3G/4G无线基础设施和其他高性能RF应用。
该DSA是PE4302的引脚兼容升级版,具有更高的线性度、更高的衰减精度和更快的切换速度。集成数字控制接口支持衰减的串行和并行编程,包括在通电时编程初始衰减状态的能力。
它以0.5 dB的步长覆盖31.5 dB的衰减范围,从1 MHz到4 GHz保持高线性和低功耗。PE4312还具有一个外部负电源选项,并提供20引线4×4 mm QFN封装。此外,如果RF端口上存在0 VDC,则不需要外部阻断电容器。
PE4312采用Peregrine的UltraCMOS®工艺制造,这是蓝宝石衬底上绝缘体上硅(SOI)技术的专利变体。
Peregrine氏HaRP™ 技术增强提供了高线性度和优异的谐波性能。它是UltraCMOS®工艺的一项创新功能,提供了GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性。


(图片:引线/示意图)

PE4312C-Z所属分类:衰减器,PE4312C-Z 由 派更半导体 (pSemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PE4312C-Z价格参考¥12.338092,你可以下载 PE4312C-Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PE4312C-Z规格参数、现货库存、封装信息等信息!

派更半导体 (pSemi)

派更半导体 (pSemi)

百富勤RF产品由专注于半导体集成的村田公司pSemi生产。三十年来,百富勤这个名字一直是半导体技术创新的代名词。1988年,我们的创始人为我们的UltraCMOS奠定了基础?技术平台——绝缘体上硅(SO...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部