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F1912NCGI8

  • 描述:功率(瓦特): 1.5瓦 衰损减幅数值: 0.5分贝~31.5分贝 频率的范围: 1兆赫~4千兆赫 阻抗值: 50 Ohms 包装/外壳: 20-WFQFN外露衬垫 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 4000

数量 单价 合计
1+ 27.79749 27.79749
200+ 10.76167 2152.33500
500+ 10.38333 5191.66750
1000+ 10.19416 10194.16400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥27.79749
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥40,776.66
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 阻抗值 50 Ohms
  • 功率(瓦特) 1.5瓦
  • 衰损减幅数值 0.5分贝~31.5分贝
  • 包装/外壳 20-WFQFN外露衬垫
  • 频率的范围 1兆赫~4千兆赫
  • 安装类别 表面安装

F1912NCGI8 产品详情

F1912NCGI8是Glitch FreeTM DSA系列的一部分,由于其采用紧凑的4mm x 4mm 20引脚封装QFN封装的单片硅管芯结构,因此具有极高的可靠性。硅设计具有非常低的插入损耗和低失真(>+60dBm IP3I)。该器件具有精确的精度,并在400nsec内达到最终衰减值。最重要的是,F1912NCGI8包括IDT的Glitch FreeTM技术,该技术可在MSB转换期间实现低过冲和振铃

特色

  • 串行和6位并行接口
  • 31.5dB控制范围
  • 0.5dB阶跃
  • Glitch FreeTM,低瞬时过冲
  • 衰减误差<0.22 dB@2 GHz
  • 低插入损耗<1.4 dB@2 GHz
  • 超线性>+63 dBm IP3I
  • 500 ns开关速度
  • 温度上的稳定积分非线性
  • 3.0 V至5.25 V电源
  • 1.8 V或3.3 V控制逻辑
  • -55°C至+105°C工作温度
  • 4mm x 4mm薄型QFN 20针封装
  • 低电流消耗550µA典型值


(图片:引出线)


F1912NCGI8所属分类:衰减器,F1912NCGI8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。F1912NCGI8价格参考¥27.797490,你可以下载 F1912NCGI8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询F1912NCGI8规格参数、现货库存、封装信息等信息!

瑞萨电子 (Renesas)

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash;安全可靠。作为微控制器...

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