HMC8411LP2FE是砷化镓（GaAs）、单片微波集成电路（MMIC）、伪晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）、低噪声宽带放大器，工作频率为0.01GHz至10GHz。
HMC8411LP2FE提供15.5 dB的典型增益、1.7 dB的典型噪声系数和34 dBm的典型输出三阶截距（OIP3），在5V电源电压下仅需55 mA。19.5 dBm的典型饱和输出功率（PSAT）使低噪声放大器（LNA）能够作为许多股份有限公司的平衡、同相/正交（I/Q）或图像抑制混频器的本地振荡器（LO）驱动器。
HMC8411LP2FE还具有内部匹配50Ω, 使该器件成为基于表面安装技术（SMT）的高容量微波无线电应用的理想选择。
HMC8411LP2FE安装在符合RoHS要求的2 mm×2 mm 6引线LFCSP中。
多功能引脚名称只能由其相关功能引用。
特色
- 低噪声系数：典型值1.7 dB
- 单正极电源（自偏置）
- 高增益：典型15.5 dB
- 高OIP3:34 dBm（典型值）
- 6引线，2 mm×2 mm LFCSP
- 下载（pdf）
- 军用温度范围（−55°C至+125°C）
- 受控制造基线
- 1个组装/测试现场
- 1个制造场地
- 产品变更通知
- 根据要求提供资格数据
应用
- 测试仪器仪表
- 军事通信
（图片：引出线）
