HMC902LP3ETR是一种砷化镓（GaAs）、伪晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）、单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA），具有自偏置和可选的偏置控制，以降低IDQ。HMC902LP3ETR安装在无引线3 mm×3 mm塑料表面安装封装中。该放大器工作在5 GHz和11 GHz之间，提供19.5 dB的小信号增益、1.8 dB的噪声系数和28 dBm的输出IP3，而3.5 V电源仅需80 mA。
16 dBm的P1dB输出功率使LNA能够用作平衡、I/Q或图像抑制混频器的本地振荡器（LO）驱动器。HMC902LP3ETR还具有直流阻断和内部匹配为50Ω的输入/输出，使其成为高容量微波无线电和C波段、甚小孔径终端（VSAT）应用的理想选择。
特色
- 低噪声系数：典型值1.8 dB
- 高增益：19.5 dB
- 高P1dB输出功率：典型值为16 dBm
- 单电源：3.5 V，80 mA
- 输出IP3:28 dBm
- 50Ω匹配输入/输出
- 带有可选偏置控制的自偏置，用于降低静态漏极控制（IDQ）。
- 3 mm×3 mm，16引线框架芯片规模（LFCSP）封装：9 mm²
应用
- 点对点无线电
- 点对多点无线电
- 军事和太空
- 测试仪器仪表
（图片：引出线）
