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HMC637ALP5E是集成电路MMIC MESFET GAAS 1W 32-QFN，包括HMC637AG系列，它们设计用于功率放大器类型，包装如数据表注释所示，用于托盘中，托盘提供单位重量功能，如0.006653盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及32-VFQFN暴露焊盘封装盒，该设备也可用于0Hz~6GHz频率。此外，该技术为GaAs，该器件在DC至6GHz频率范围内提供，该器件具有1个通道数，电压供应为12V，供应商器件封装为32-QFN（5x5），电流供应为400mA，增益为13dB，P1dB为29dBm，噪声系数为5dB，RF类型为通用型，Pd功耗为8.6W，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电压为12 V，工作电源电流为400 mA，工作频率为DC至6 GHz，NF噪声系数为12 dB，P1dB压缩点为29 dBm，OIP3三阶截距为44 dBm，输入回波损耗为12 dB。
HMC637ALP5ETR带有用户指南，包括5V电源，它们设计用于32-QFN（5x5）供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于HMC637AG，提供射频类型功能，如VSAT，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及32-VFQFN外露衬垫包装盒，该设备也可以用作29dBm P1dB。此外，噪声系数为12dB，设备的增益为13dB，设备频率为0Hz~6GHz，电流供应为400mA。
HMC637是集成电路MMIC功率放大器DIE 1=2PCS，包括400mA电流源，它们设计为在0Hz ~ 6GHz频率下工作，数据表注释中显示了14dB的增益，该增益提供了5dB等噪声系数特性，P1dB设计为在29dBm下工作，以及管芯封装外壳，该设备也可以用作托盘封装。此外，RF类型为通用型，该设备在模具供应商设备包中提供，该设备具有12V电源。
