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HMC715LP3E是集成电路MMIC AMP LNA PHEMT 16-QFN，包括HMC715系列，它们设计为与RF放大器类型一起工作。数据表注释中显示了用于切割条交替封装的封装，该封装提供了SMD/SMT等安装方式功能。封装盒设计用于16-VFQFN暴露焊盘，以及2.1GHz~2.9GHz频率，该器件也可以用作GaAs技术。此外，频率范围为2.1 GHz至2.9 GHz，该设备提供1个信道数量的信道，该设备具有3V、5V的电压供应，供应商设备包为16-QFN（3x3），电流供应为95mA，增益为19dB，放大器类型为LNA，P1dB为19.5dBm，噪声系数为0.9dB，RF类型为LTE、WiMax，Pd功耗为0.72 W，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电压为5 V，工作电源电流为95 mA，工作频率为2.9 GHz，NF噪声系数为0.9 dB，P1dB压缩点为19.5 dBm，OIP3三阶截距为33 dBm，输入回波损耗为11.5 dB。
HMC716LP3E是集成电路MMIC AMP LNA PHEMT 16-QFN，包括3V、5V电压电源，它们设计用于RF放大器类型。数据表说明中显示了在GaAs中使用的技术，该GaAs提供供应商设备包功能，如16-QFN（3x3），系列设计用于HMC716，以及通用RF类型，该器件也可以用作0.72W Pd功率耗散。此外，该封装为切割条交替封装，该器件采用16-VFQFN暴露焊盘封装外壳，该器件具有19 dBm的P1dB压缩点，P1dB为19 dBm，工作电源电压为5V，工作电源电流为65 mA，工作频率为3.9 GHz，OIP3三阶截距为33 dBm，信道数为1信道，噪声系数为1dB，NF噪声系数为1 dB，安装类型为SMD/SMT，最低工作温度范围为-40 C，最高工作温度范围+85 C，输入回波损耗为30 dB，增益为18dB，频率范围为3.1 GHz至3.9 GHz，频率为3.1GHz至3.9GHz，电流供应为65mA，放大器类型为LNA。
HMC715LP3ETR是集成电路MMIC AMP LNA PHEMT 16-QFN，包括95mA电流源，其设计工作频率为2.1GHz~2.9GHz，增益如数据表注释所示，用于19dB，具有0.9dB等噪声系数特性，P1dB设计工作频率19.5dBm，以及16-VFQFN外露焊盘封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，射频类型为LTE、WiMax，该设备采用16-QFN（3x3）供应商设备包，该设备的测试频率为2.9GHz，电源电压为3V~5V。
