HMC8119-SX是一种集成E波段砷化镓(GaAs)伪晶(pHEMT)单片微波集成电路(MMIC),同相/正交(I/Q)上变频器芯片,工作频率为81 GHz至86 GHz。HMC8119-SX在整个频带上提供了10dB的小信号转换损耗和22dBc的边带抑制。该设备使用由6×LO乘法器驱动的图像抑制混频器。提供差分I和Q混频器输入。输入可以用差分I和Q基带波形驱动,用于直接转换应用。或者,对于单边带应用,可以使用外部90°混合和两个外部180°混合驱动输入。所有数据包括中频(IF)端口上1密耳金线楔键的影响。
特色
- 转换损耗:典型值为10 dB
- 边带抑制:典型的22 dBc 1 dB压缩的输入功率(P1dB):典型的16 dBm
- 输入三阶截距(IP3):典型值为24 dBm
- 输入二阶截距(IP2):−5 dBm典型值
- RFOUT处的6×本地振荡器(LO)泄漏:−23 dBm典型值
- 射频回波损耗:典型值为12 dB
- LO回波损耗:典型值20 dB
- 模具尺寸:3.601 mm×1.609 mm×0.05 mm
应用
- 电子频带通信系统
- 高容量无线回程
- 测试和测量
(图片:引出线)