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HMC667LP2E是集成电路MMIC AMP LNA PHEMT 6-DFN，包括HMC667系列，它们设计用于低噪声放大器类型，包装如数据表注释所示，用于切割条替代包装，提供单位重量功能，如21100 mg，安装样式设计用于SMD/SMT，以及6-VFDFN外露衬垫包装盒，该器件还可用于2.3GHz～2.7GHz频率。此外，该技术为GaAs，该器件在2.3 GHz至2.7 GHz频率范围内提供，该器件具有1个信道数，电压供应为3 V~5 V，供应商器件封装为6-DFN（2x2），电流供应为59mA，增益为19dB，P1dB为16.5dB，噪声系数为0.9dB，RF类型为通用型，Pd功耗为0.38W，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为5V，工作电源电流为59mA，工作频率为2.3GHz至2.7GHz，NF噪声系数为0.75dB，P1dB压缩点为16.5dbm，OIP3三阶截距为29.5dBm，输入回波损耗为12dB。
HMC667LP2TR带有用户指南，包括3 V~5 V电源，设计用于6-DFN（2x2）供应商设备包，射频类型如数据表注释所示，用于一般用途，提供包装功能，如磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱设计用于6-VFDFN暴露垫，以及16.5dB P1dB，该设备还可以用作0.9dB噪声系数。此外，增益为19dB，该设备提供2.3GHz～2.7GHz频率，该设备具有59mA的电流供应。
HMC667LP2ETR是集成电路MMIC AMP LNA PHEMT 6-DFN，包括59mA电流源，其设计工作频率为2.3GHz~2.7GHz，增益如数据表注释所示，用于19dB，具有噪声系数特性，如0.9dB，P1dB设计工作频率16.5dB，以及6-VFDFN外露衬垫封装外壳，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，射频类型为通用型，该设备采用6-DFN（2x2）供应商设备包提供，该设备具有3V~5V的电压供应。
