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HMC475ST89E是集成电路MMIC AMP HBT 4.5GHZ SOT-89,包括HMC475系列,它们设计为与RF放大器类型一起工作。数据表备注中显示了用于切割条交替封装的封装,该封装提供了SMD/SMT等安装方式功能。封装盒设计为在to-243AA以及0Hz~4.5GHZ频率下工作,该器件也可以用作GaAs InGaP技术。此外,频率范围为DC至4.5 GHz,该设备提供1个信道数量的信道,该设备具有8 V至12 V的电压供应,供应商设备包为SOT-89,电流供应为110mA,增益为21.5dB,放大器类型为增益块,P1dB为22dBm,噪声系数为3.8dB,RF类型为蜂窝、CATV、,Pd功耗为1.09 W,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,工作电源电压为8 V,工作电源电流为110 mA,工作频率为4.5 GHz,NF噪声系数为3.8 dB,P1dB压缩点为22 dBm,OIP3三阶截距为35 dBm,输入回波损耗为14dB。
HMC475ST89ETR是集成电路MMIC AMP HBT 4.5GHZ SOT-89,包括8 V~12 V电压源,设计用于HBT增益块类型。数据表说明中显示了用于GaAs InGaP的技术,该GaAs InGaAs InP提供供应商设备包功能,如SOT-89。该系列设计用于HMC475,以及蜂窝、CATV RF类型,该器件也可以用作1.09W Pd功率耗散。此外,包装为切割胶带(CT)交替包装,该设备采用TO-243AA包装盒,该设备具有22 dBm的P1dB压缩点,P1dB为22dBm,工作电源电压为8 V,工作电源电流为110 mA,工作频率为DC至4.5 GHz,OIP3三阶截距为35 dBm,信道数为1信道,噪声系数为3.8dB,NF噪声系数为3.5dB,安装方式为SMD/SMT,最低工作温度范围为-40℃,最高工作温度范围+85℃,输入回波损耗为11dB,增益为21.5dB,频率范围为DC至4.5GHz,频率为0Hz~4.5GHz,电流供应为110mA。
HMC475ST89TR带有电路图,包括110mA电流源,其设计工作频率为0Hz~4.5GHz,增益如数据表注释所示,用于21.5dB,具有3.8dB等噪声系数特性,P1dB设计工作频率22dBm,以及to-243AA封装盒,该设备也可用作磁带和卷轴(TR)替代封装。此外,RF类型为蜂窝式、CATV,该设备在SOT-89供应商设备包中提供,该设备具有8 V~12 V的电压供应。