9icnet为您提供由Analog Devices Inc.股份有限公司设计和生产的HMC669LP3ETR，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂、代理商等渠道购买。HMC669LP3ETR参考价格为1823.5624美元。模拟设备股份有限公司HMC669LP3ETR封装/规格：IC RF AMP GP 1.7GHZ-2.2GHZ 16QFN。您可以下载HMC669LP3ETR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如HMC669LP3ETR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
HMC669LP3E是集成电路MMIC AMP LNA BYPASS 16-QFN，包括HMC669系列，它们设计用于低噪声放大器类型，包装如数据表注释所示，用于切割条替代包装，提供单位重量功能，如57100 mg，安装样式设计用于SMD/SMT，以及16-VFQFN暴露衬垫包装盒，该器件也可用于1.7GHz～2.2GHz频率。此外，该技术为GaAs，该器件在1.7 GHz至2.2 GHz频率范围内提供，该器件具有1个信道数，电压供应为3V、5V，供应商器件封装为16-QFN（3x3），电流供应为86mA，增益为17dB，P1dB为12dBm，噪声系数为1.4dB，RF类型为通用型，Pd功耗为0.7W，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电压为5 V，工作电源电流为86 mA，工作频率为1.7 GHz至2.2 GHz，NF噪声系数为1.4 dB，P1dB压缩点为12 dBm，OIP3三阶截距为29 dBm，输入回波损耗为11 dB。
HMC668LP3TR带有用户指南，包括3V、5V电源，它们设计用于16-QFN（3x3）供应商设备包，射频类型如数据表注释所示，用于LTE、WiMax，提供磁带和卷轴（TR）交替包装等包装功能，包壳设计用于16-VFQFN暴露垫，以及24dBm P1dB，该设备还可以用作0.9dB噪声系数。此外，增益为16dB，该设备提供700MHz～1.2GHz频率，该设备具有57mA的电流供应。
HMC669LP3是IC MMIC AMP LNA BYPASS 16-QFN，包括86mA电流源，设计用于1.7GHz~2.2GHz频率，数据表注释中显示了17dB的增益，该增益提供了1.4dB等噪声系数特性，P1dB设计用于12dBm，以及16-VFQFN暴露焊盘封装外壳，该装置也可以用作切割条替代包装包装。此外，RF类型为通用型，该设备采用16-QFN（3x3）供应商设备包提供，该设备具有3V、5V的电源。
